2024年北京理工大學非全日制研究生招生考試《集成電路工程基礎》考試大綱
1. 考試內容
(1)電子技術基礎部分
二極管的特性、模型及應用。BJT、FET的工作原理，BJT、FET放大電路的組成、小信號模型分析法，各組態放大電路的性能分析，多級放大電路、差動放大電路的結構與指標分析。頻率響應的概念，放大電路頻率響應的分析。集成運算放大器的特性，反饋的基本概念，反饋分類與判別，負反饋對放大電路性能的影響，集成運算放大器構成的運算電路、濾波電路。
(2)半導體物理部分
主要包含半導體中的電子狀態;半導體中的電子狀態和能帶、電子的運動，本征半導體的導電機構、空穴，硅和鍺的能帶結構;半導體中的雜質和缺陷能級，硅、鍺晶體中的雜質能級、缺陷、位錯能級;半導體中載流子的統計分布、狀態密度，費米能級、載流子濃度的計算，簡并半導體;載流子的位移與擴散運動，載流子的散射、遷移率、電阻率、熱載流子、多能谷散射;非平衡載流子的注入，復合壽命，費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的遷移運動，愛因斯坦關系，連續性方程;PN結的伏安特性，PN結電容，擊穿;金屬和半導體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸;表面態，表面場效應，C-V特性，表面電場對PN結特性的影響;半導體的光學性質，光電性質，發光現象，半導體激光器;半導體的熱電性質，溫差電動勢率，熱電效應及其應用;半導體磁效應和壓阻效應。
2. 題型及分值安排
(1) 題型：選擇題、簡答題和計算題。
(2) 分值安排：電子技術基礎部分占50分，半導體物理部分占100分。
參考書目
1.《電路與模擬電子學基礎》，清華大學出版社，杜慧茜，馬志峰，鄧小英，吳瓊之，2022年，或《電子技術基礎-模擬部分》(第6版)》，高等教育出版社，康華光，2013年。(電子技術基礎部分兩本參考書可任選其一)
2.《半導體物理學(第7版)》，電子工業出版社，劉恩科，朱秉升，羅晉生等，2017年。
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